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產(chǎn)品展示/ Product display

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  • ID-471A / ID-471B英國(guó)IDB Systems接地傳導(dǎo)電壓測(cè)試儀監(jiān)測(cè)器

    英國(guó)IDB Systems接地傳導(dǎo)電壓測(cè)試儀監(jiān)測(cè)器 ID-471A / ID-471B ID-471A 接地傳導(dǎo)監(jiān)測(cè)器是篩查人員和確定其導(dǎo)電鞋的有效性所必需的設(shè)備。 測(cè)試器可提供多種配置,臨界電阻設(shè)置為 1000MΩ (109) 或 100MΩ (108)。 ID-471B 接地傳導(dǎo)測(cè)試儀為 ID-471A 提供了附加功能,包括模擬儀表和 5MΩ 下限故障點(diǎn)測(cè)試。

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    2025-05-06

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  • sigma-5+日本NPC手動(dòng)型電阻率測(cè)試裝置用于多種材料

    日本NPC手動(dòng)型電阻率測(cè)試裝置用于多種材料 sigma-5+ 它可以精確測(cè)量硅片等的電阻率,還有用于太陽能電池的硅的便攜式探頭。 這是一款高精度電阻率測(cè)量?jī)x器,采用20多年電阻率測(cè)量相關(guān)的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)設(shè)計(jì)和開發(fā)。 可以在半導(dǎo)體基板和導(dǎo)電薄膜基板的研發(fā)/檢查過程或生產(chǎn)線中高精度地確定和評(píng)估薄層電阻值和體積電阻值。

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  • sigma-5+日本NPC手持式非接觸式面電阻測(cè)試儀高精度

    日本NPC手持式非接觸式面電阻測(cè)試儀高精度 sigma-5+ 探頭接觸樣品即自動(dòng)開始測(cè)量 可通過JOG旋鈕快速設(shè)定測(cè)量條件 5種測(cè)量范圍探頭可根據(jù)樣品電阻率進(jìn)行更換 可選配P/N型判定量測(cè)功能 應(yīng)用:硅片樣品, 化合物半導(dǎo)體, 外延層, 擴(kuò)散層, 碳化硅, 薄膜材料, 金屬膜, ITO, IZO, Low-E玻璃, LED/OLED等材料

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  • sigma-5+日本NPC電阻率測(cè)試儀測(cè)量?jī)x器高精度多功能

    日本NPC電阻率測(cè)試儀測(cè)量?jī)x器高精度多功能 sigma-5+ 這是一款手動(dòng)型測(cè)量?jī)x器,采用四探針法,可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量太陽能電池用硅片、液晶基板、金屬薄膜等的方塊電阻或體積電阻。它支持從低電阻到高電阻的各種測(cè)量。 1) 用于硅錠制造→晶圓制造工序(成膜等各工序)的產(chǎn)品檢查  2) 液晶面板(LCD基板)制造:成膜時(shí)的產(chǎn)品檢查 3) 用于各種導(dǎo)電材料制造過程中的產(chǎn)品檢驗(yàn)

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  • pH/ORP日本Toadkk便攜式離子計(jì)檢測(cè)儀帶背光功能

    日本Toadkk便攜式離子計(jì)檢測(cè)儀帶背光功能 pH/ORP 纖薄設(shè)計(jì),易于握在手中 具有背光功能 省電設(shè)計(jì),也可使用充電電池 防水結(jié)構(gòu)(IP67:1 m,可浸泡 30 分鐘) 數(shù)據(jù)記憶功能(1500個(gè)數(shù)據(jù))

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  • WBM-100日本toadkk面板式電導(dǎo)率儀用于半導(dǎo)體測(cè)量

    日本toadkk面板式電導(dǎo)率儀用于半導(dǎo)體測(cè)量 WBM-100 緊湊的 DIN96 尺寸 微電腦計(jì)算溫度補(bǔ)償 具有細(xì)胞常數(shù)調(diào)節(jié)功能 可顯示水溫

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  • HERA FT1230日本ceramic forum半導(dǎo)體分析裝置測(cè)量結(jié)晶

    日本ceramic forum半導(dǎo)體分析裝置測(cè)量結(jié)晶 HERA FT1230 DLTS方法是一款高感度測(cè)量結(jié)晶缺陷導(dǎo)致的電子狀態(tài)的良好方法。 即便是內(nèi)在微小的雜質(zhì)或格子缺陷也會(huì)很大程度上影響半導(dǎo)體材料性能,所以此類測(cè)量非常重要。

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  • Crystalline Tester CS1日本ceramic forum晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀便攜式

    日本ceramic forum晶片內(nèi)位錯(cuò)檢測(cè)儀便攜式 Crystalline Tester CS1 ”Crystalline Tester CS1”是非破壞性、非接觸式檢測(cè)可見光(波長(zhǎng)400~800nm)透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測(cè)設(shè)備。通過本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。

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